“파운드리 사업에 한 획”…삼성, 3나노 파운드리 양산 출하식

경계현 삼성전자 대표, 이창양 산업통상자원부 장관, 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장(왼쪽부터). 사진제공｜삼성전자

삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(게이트 올 어라운드) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 열었다. 삼성전자 파운드리사업부는 3나노 GAA 공정 양산과 선제적 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다.

삼성전자 DS부문장 경계현 대표(사장)는 “이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과다”고 말했다.

삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음 적용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC(시스템 온 칩) 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다. 삼성전자는 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.

김명근 기자 dionys@donga.com