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삼성 세계 최대 평택 2라인 가동

입력 2020-08-30 15:52:00
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-EUV 공정 적용한 3세대 10나노급 LPDDR5 모바일 D램 생산

삼성전자는 평택 2라인이 가동에 들어갔다고 30일 밝혔다. 업계 최초 EUV(극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 생산한다. 평택 2라인은 연면적 12만 8900㎡의 세계 최대규모 반도체 생산라인이다. 삼성전자는 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인으로 만들 예정이다. 이를 통해 이재용 부회장이 강조해 온 반도체 초격차 달성 전략도 속도를 더할 것으로 전망된다.

평택 2라인은 2018년 8월 발표한 180조 원 투자, 4만 명 고용 계획의 일환으로 건설됐다. 평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에도 총 30조 원 이상의 대규모 투자가 집행된다. 직접 고용하는 인력은 약 4000명으로 예상되고, 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만 명 이상의 고용창출이 기대된다.

평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용됐으며, 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이다. 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5500Mb/s)보다 16% 빠른 6400Mb/s의 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB를 처리할 수 있다. 또 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩 8개+8Gb 칩 4개)보다 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다.

김명근기자 dionys@donga.com



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