삼성, 평택에 낸드 라인 투자

삼성전자가 평택캠퍼스에 낸드플래시 생산라인을 구축하는 투자를 단행하기로 했다. 평택에 EUV(극자외선) 파운드리 생산 시설을 구축하겠다고 밝힌 지 열흘 만이다. 메모리 반도체 분야에서 ‘초격차’를 유지하기 위한 전략으로 분석된다.

삼성전자는 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이라고 1일 밝혔다. 인공지능(AI)과 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명과 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위한 것으로, 업계에선 약 8조 원 안팎이 투자될 것으로 예상하고 있다.

2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로, 세계 최대규모 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다.

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있으며, 지난 해 7월에는 업계 최초로 6세대 V낸드 제품을 양산한 바 있다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력이다“”며 “최고 제품으로 고객 수요에 차질 없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것이다”고 말했다.

김명근 기자 dionys@donga.com