“2027년 1.4나노 반도체 양산”…가속도 붙는 이재용의 기술 초격차

기흥 반도체 R&D단지 기공식에서 직원들과 함께 한 이재용 부회장(오른쪽). 사진제공｜삼성전자

‘삼성 파운드리 포럼’서 신기술·사업 전략 공개
고성능 저전력 반도체 적극 공략…ARM 저울질도

삼성전자가 2027년 1.4나노 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 도입한다. 또 팹리스(반도체 설계기업) ARM에 대한 투자도 저울질하고 있다. 이재용 부회장의 기술 초격차 전략이 속도를 더할 전망이다.

삼성전자는 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 열고, 신기술과 사업 전략을 공개했다. 이 포럼이 오프라인에서 열린 것은 3년 만이다. 삼성전자는 이번 행사에서 GAA(게이트 올 어라운드) 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입한다는 계획을 밝혔다. 삼성전자는 2015년 핀펫 트랜지스터를 세계 최초로 양산했다. 또 지난 6월에는 GAA 트랜지스터 기술을 적용한 3나노 1세대 공정 양산을 세계 최초로 시작했고, 앞선 노하우를 바탕으로 3나노 응용처를 확대하고 있다.

삼성전자는 이날 HPC(고성능 컴퓨팅), 오토모티브(차량용 반도체), 5G, IoT(사물인터넷) 등 고성능 저전력 반도체 시장을 적극 공략해, 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워간다는 목표도 내놨다. 미국을 시작으로 7일 유럽, 18일 일본, 20일 한국에서 순차적으로 삼성 파운드리 포럼을 개최할 예정이다.

ARM에 대한 투자 여부도 곧 가시화될 것으로 보인다. 이재용 부회장이 방한 중인 손정의 소프트뱅크 회장을 만나 이에 대해 논의할 것으로 알려졌다. 인수가격이 높은 데다 독과점 이슈 등도 있어 다른 기업들과 컨소시엄을 구성해 공동 인수를 추진하거나, 지분 투자로 전략적 협력 관계를 맺는 방안 등이 거론된다.

김명근 기자 dionys@donga.com