삼성전자, ‘HBM4’ 양산 출하

삼성전자가 6세대 고대역폭메모리 ‘HBM4’로, 차세대 시장 선점에 나선다.

삼성전자는 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4를 양산 출하한다”고 12일 밝혔다. 당초 설 연휴 직후였던 일정을 1주일 가량 앞당긴 것으로 알려졌다.

삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 반도체 표준을 제정하는 국제 산업 표준 기구인 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고 개발을 추진해왔다. 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해, 재설계 없이 양산 초기부터 안정적 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다는 게 삼성전자의 설명이다. 또 HBM 적층 구조의 가장 아래에 위치해 전력·신호를 제어하는 기반 칩인 ‘베이스 다이’의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했다.

그 결과, 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의  동작 속도를 안정적으로 확보했다. 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며, 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 인공지능(AI) 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대된다. 저전력 설계와 전력 분배 최적화로 전력효율 및 발열도 개선했다.

황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 “삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 파운드리 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다”며 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써,  고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 말했다.

한편, 삼성전자는 2026년 HBM 매출이 2025년보다 3배 이상 증가할 것으로 보고, HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있다. 품질과 수율을 동시 확보한 최고 수준 HBM도 지속적으로 개발할 방침이다. HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로, 올해 하반기 샘플 출하를 할 계획이다.



김명근 기자 dionys@donga.com